2018年11月5日，k8凯发官网入口（“k8凯发官网入口微电子”）旗下的k8凯发官网入口上华科技有限公司（以下简称“k8凯发官网入口上华”）宣布，公司已乐成开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时，提升了器件的可靠性，降低了工艺本钱，可笼罩7V-40V的宽事情电压规模，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺计划。
k8凯发官网入口上华第三代0.18微米BCD工艺基于大宗的仿真和流片数据，对高压器件结构举行优化，将综合性能做到业界领先水平。其中30V nLDMOS的击穿电压抵达50V，导通电阻仅为 15 mohm*mm^2，相比第二代0.18微米BCD工艺在品质因子 (Ron*Qg)指标上优化25%。新一代BCD工艺平台提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类富厚的寄生器件，以及针对差别事情电压的ESD� ；ぜ苹�。现在已有手机、安防监控、消耗电子等多个领域的客户在该平台导入产品，器件性能获得海内外多家客户的一致认可。
作为海内领先的模拟晶圆代工厂，k8凯发官网入口上华在BCD工艺平台上已耕作多年，具有富厚的量产履历，从6英寸生产线到8英寸生产线，从1μm延伸至0.18μm，在各个节点上可知足客户对电源管理芯片设计的全方位需求。
k8凯发官网入口上华市场销售副总司理邵军体现：“我们期待第三代0.18微米BCD工艺平台能为客户提供更高性价比的计划。未来，k8凯发官网入口上华还将一连精进，一直提升BCD工艺平台的竞争力，知足客户在电源管理芯片上的多种需求。”
